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成功开发1纳米晶体管:未来的芯片超乎想象。

记者:亚洲365bet网站 时间:2019-10-08 11:17  来源:365bet注册
据国外媒体报道,美国劳伦斯伯克利国家实验室的一个研究小组最近打破了物理极限并开发了1纳米工艺晶体管。
以前,主要的工艺技术是14纳米,许多芯片制造商已经开始开发7纳米工艺芯片。
这种1nm晶体管的出现将进一步推动手机芯片的发展。
1纳米晶体管已经成功开发:未来的芯片超出您的想象(软件图像)。该1nm晶体管由碳纳米管和二硫化钼制成。
二硫化钼负责原始半导体,碳纳米管负责控制逻辑门中的电子流动。
根据芯片的工艺技术,如果相同尺寸的晶体管很小,则可以集成晶体管的数量,并且进一步提高了处理器的性能。
1纳米晶体管技术需要很长时间才能实现商业化,但对芯片制造商而言非常重要,但这足以使未来的智能手机具有更高的速度和更长的延迟是的。
上个月,台积电在内部会议上提出了流程示意图。
台积电的10纳米芯片将于今年晚些时候量产,7纳米芯片将于明年4月开始测试。
对于台积电而言,7纳米工艺的制造速度比其他竞争产品快得多。英特尔的第一款7纳米芯片据说要等到2022年。
据熟悉该领域的人士称,与目前的16FF +相比,10nm工艺的芯片面积将减少50%,但性能将提高50%,能耗将降低40%。。
7nm工艺芯片的晶体管密度将增加163%。
业内有些人希望能够将CPU时钟频率加速到3-1V。
温度上限为8 GHz,上升至150度。


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